Samsung hace historia: Inicia la producción en masa de la memoria HBM4 y humilla a la competencia

Samsung Electronics se ha convertido oficialmente en la primera empresa del mundo en iniciar la producción en masa y la entrega comercial de la memoria HBM4. Con este movimiento, la surcoreana se adelanta a todos sus rivales, entregando ya las primeras unidades a sus clientes comerciales.

Tecnología de vanguardia: 10nm y 4nm trabajando juntos

A diferencia de otros fabricantes que optan por diseños más conservadores, Samsung ha apostado por lo más avanzado de su arsenal:

  • DRAM de 6ª generación (1c): Utilizan el proceso de 10 nm más reciente.
  • Proceso Lógico de 4 nm: Combinan la memoria con un proceso lógico de última generación para garantizar estabilidad y rendimiento desde el primer día.
  • Sin rediseños: Esta integración permite un rendimiento líder sin necesidad de pasos adicionales en la fabricación.
Samsung HBM4

Velocidades de vértigo para la era de la IA

El salto en rendimiento respecto a la generación anterior (HBM3E) es, sencillamente, abrumador:

  • Velocidad estable: Alcanza los 11,7 Gbps, un 46% más que el estándar de la industria.
  • Potencial de escalado: Puede llegar hasta los 13 Gbps para eliminar los cuellos de botella en modelos de IA gigantes.
  • Ancho de banda: Logra un máximo de 3,3 TB/s, lo que supone ser 2,7 veces más rápida que la HBM3E.

Capacidad, eficiencia y futuro

Samsung no solo ha pensado en la velocidad, sino también en la densidad y el calor:

  • Capacidades: Actualmente ofrece entre 24 GB y 36 GB con 12 capas, pero ya planea llegar a los 48 GB con 16 capas.
  • Eficiencia Térmica: A pesar de doblar los pines de E/S (de 1024 a 2048), han mejorado la eficiencia energética en un 40% y la resistencia térmica en un 10%.
  • Previsiones: Samsung espera que las ventas de HBM se tripliquen en 2026 respecto a 2025. Además, el muestreo de la futura HBM4E comenzará en la segunda mitad de 2026.

El veredicto técnico del Gurú

La clave de este anuncio no es solo la velocidad de 11,7 Gbps, sino la integración vertical de Samsung. Al fabricar tanto la DRAM 1c como la capa lógica en 4 nm bajo el mismo techo, Samsung optimiza la entrega de energía y la disipación de calor.

Esto reduce drásticamente el costo total de propiedad para los centros de datos que ejecutan LLMs (modelos de lenguaje extenso), donde el consumo eléctrico es el mayor enemigo. ¡Te leemos en los comentarios! Y no te olvides de seguir a Gurú Tecno en YouTubeInstagram y Facebook.

Alfredo Santiago Martín
Alfredo Santiago Martín
Ingeniero Químico, Máster en Aplicaciones Multimedia por la UOC y un apasionado de la Ciencia y de la Tecnología desde que tiene conocimiento de causa. Se define como un Geek en un mundo imperfecto. Ciudadano del mundo y nómada por suerte, su hábitat natural transcurre entre ordenadores y máquinas con muchos cables y botones. CEO y Fundador de GurúTecno.

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