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Bombazo de Samsung: Aumentará su producción total casi un 20% con una nueva mega-línea para memoria HBM4 en Pyeongtaek

febrero 6, 2026

El mundo de la inteligencia artificial no frena, y para que los cerebros de silicio sigan pensando rápido, necesitan memoria de la buena.

Samsung lo sabe y parece que se ha cansado de ir a remolque en la carrera de la memoria de alto ancho de banda (HBM). El gigante coreano acaba de dar un golpe sobre la mesa con un plan de expansión brutal que promete inundar el mercado con la próxima generación de memorias para IA.

Cifras de vértigo: Una apuesta masiva por la IA

La noticia llega fresca desde Corea del Sur. Samsung Electronics planea construir una línea de producción a gran escala en su complejo de fabricación de obleas P4 de Pyeongtaek, dedicada específicamente a producir matrices DRAM de 1c nm, el ingrediente esencial para la futura memoria HBM4. El objetivo es que esta nueva línea comience a escupir silicio en el primer trimestre del próximo año.

Para que os hagáis una idea de la magnitud de la apuesta, la capacidad mensual prevista para esta nueva línea es de entre 100.000 y 120.000 obleas.

Teniendo en cuenta que la capacidad promedio mensual de producción de DRAM de Samsung Electronics en este 2026 es de 660.000 obleas, esta sola línea de producción podría aportar casi una quinta parte de su capacidad total de fabricación. Si sumamos la capacidad actual de 1c nm, la producción relacionada con HBM4 representará aproximadamente una cuarta parte de toda la capacidad de DRAM de Samsung para entonces.

Preparando el terreno para la próxima generación

Samsung no quiere sorpresas. La matriz base para HBM4 ya está en plena producción en su línea de 4 nm en Pyeongtaek S5.

Además de este enfoque masivo en la IA, la compañía no descuida el resto de mercados. También planean actualizar su línea de producción existente en Hwaseong Fab 17 a la tecnología de 1c nm para satisfacer la demanda de memoria avanzada en dispositivos móviles y electrodomésticos.

La opinión final del Gurú: análisis estratégico

Estratégicamente, esto es una declaración de guerra total en el sector de la memoria. Samsung ha visto cómo SK Hynix le comía la tostada en las generaciones HBM3 y HBM3e, y no están dispuestos a que pase lo mismo con HBM4.

Dedicar casi el 20% de tu nueva capacidad total a una sola tecnología de vanguardia es un riesgo financiero enorme, pero necesario si quieres recuperar el trono. Samsung está apostando «all-in» a que la demanda de IA seguirá disparada en 2027 y más allá. Con esta capacidad de producción masiva, buscan no solo liderar tecnológicamente con el proceso de 1c nm, sino también ahogar a la competencia por puro volumen de fabricación cuando llegue el momento de suministrar a los futuros chips de Nvidia y AMD. ¡Te leo abajo! Déjanos tu opinión en los comentarios y únete a la discusión en InstagramFacebook y YouTube.

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